История изобретения лазеров

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
1917 А. Эйнштейн представляет концепцию вынужденного излучения
1920 И. Франк и Ф. Райхе подтвердили существование метастабильных состояний в возбужденном состоянии(поправите знатоки, как он в 12 лет подтвердил это)
1927 Поль Дирак создает квантовую теорию вынужденного излучения
1928 Р. Ладенбург и Г. Копферман исследовали отрицательную дисперсию света в газовом разряде (в неоне)
1940 В. А. Фабрикант исследовал отрицательное поглощение света
1947 У. Лэмб и Р. Резерфорд впервые демонстрируют вынужденное излучение
1950 К. М. Пурселл и Р. Ф. Паунд получили вынужденное излучение во фториде лития при быстром переключении магнитного поля (инвертированный спин)
1951 В. А. Фабрикант, Ф. А. Бутаева и М. М. Вудынский провели эксперименты по усилению электромагнитного излучения в газах

Ч. Таунс исследовал возможности создания генератора субмиллиметрового диапазона
Ц. С. ван Гиил, Г. Г. Хопкинс и Н. С. Капани изготовили первое оптическое волокно

1952 Дж. Вебер разработал теорию микроволновых резонаторов, шумов и чувствительности усилителей
1953 Дж. фон Нейман разработал теорию фотонного усиления
1954 Н. Г. Басов, А. М. Прохоров; Ч. Таунс, В. Гордон; Дж. Цайгер, К. Шимода, Т. Ванг создали независимо друг от друга первый мазер на молекулах аммиака

Н. С. Капани ввел термин «волоконная оптика»

1956 Н. Бломберген разработал теорию трёхуровневого твердотельного лазера
1958 Л. Шавлов и Ч. Таунс проводят расчеты мазеров для видимого и инфракрасного диапазонов
1959 Г. Гулд вводит термин «лазер» и представляет чертежи оптического мазера (лазера) в американское патентное бюро

Н. Г. Басов делает теоретическое обоснование полупроводникового лазера

1960 Т. Майман создал первый лазер на кристалле рубина (Cr3+ : Al2 O 3) (λ = 694,3 нм)

А. Джаван, В. Беннет и Д. Ериот построили гелий-неоновый лазер (λ = 1,15 мкм)
П. Сорокин и М. Стевенсон получили стимулированную эмиссию на U3+ : CaF2 -кристалле (λ = 2,5 мкм и λ = 2,6 мкм)
Ф. Г. Хоутерманс предложил эксимер как лазерную среду

1961 А. Г. Фокс и Т. Ли; Г. Д. Бойд и Дж. П. Гордон создали теорию оптических резонаторов со сферическими зеркалами
Швейкин Василий Иванович  подал заявку на изобретение №714114 от 25.11.1961г. на "Квантовомеханический усилитель и генератор электромагнитных колебаний на полупроводниковых структурах (полупроводниковый лазер)" по ней было выдано авторское свидетельство №25760, которое было засекречено.

П. П. Сорокин и М. Дж. Стевенсон, В. Кайзер и другие получили стимулированную эмиссию на Sm2+ : CaF2 -кристалле (λ = 708 нм)
Э. Снитцер получил стимулированную эмиссию на Nd3+ : стекле (λ = 1,062 мкм)
Д. Полани создал химический лазер на экзотермических газовых реакциях
Р. В. Геллварт предложил генерацию мощных лазерных импульсов с помощью модуляции добротности
П. А. Франкен получил генерацию второй гармоники (удвоение частоты) в рубиновом лазере с помощью кристалла кварца

1962 Д. Уайт и Дж. Риджен создали He-Ne лазер с длиной волны 632,8 нм

Р. Холл и другие; Н. Г. Басов и другие изобрели полупроводниковые лазеры на арсениде галлия (λ = 840 нм, λ = 710 нм)
Д. Кляйнман и П. Кислюк построили первый рефлектор Фабри-Перо для селекции мод в лазерном резонаторе
Н. Бломберген и другие выдвинули теорию распространения волн в нелинейных средах (удвоение частоты, параметрические процессы, стимулированный эффект Рамана, многофононная ионизация и другие)

1963 Л. Джонсон и другие представили первые перестраиваемые лазеры на переходных металлах, например Ni2+ : MgF2 (λ = 1,62 мкм … 1,8 мкм)

Ф. Дилл, В. Говард и другие получили непрерывную стимулированную эмиссию в GaAs диодах при температуре от 2K до 77K (λ = 840 нм)
Н. Г. Басов и А. Н. Ораевский предложили идею тепловой накачки
Г. Херд создал первый азотный лазер
Г. Кромер, Ж. И. Алферов и Р. Ф. Казаринов предложили двойные гетероструктуры для лазерных диодов
Р. Нойман предложил возбуждать твердотельные среды с помощью лазерных диодов
M. Коупланд применил GaAs диод как оптический усилитель

1964 Дж. Гойзик и другие получили стимулированное излучение на длине волны 1,064 мкм в Nd:YAG-лазере (Nd3+ : Y3Al5O12)

К. Пател построил первые лазеры на CO2 -газе
Л. Харгроу, Р. Рорк и М. Поллак получили режим синхронизации мод в He-Ne лазере с продолжительностью импульса 600 пс
В. Бриджес реализовал аргон-ионный лазер (λ = 488 нм, λ = 514 нм), ксеноновый и криптоновый лазер
Г. Гэбби создал 337-мкм-HCN-лазер, первый эффективный субмиллиметровый лазер
Р. Кайес и Т. Квист построили первый твердотельный лазер с накачкой лазерными диодами (U 3 + : CaF 2 -кристалл возбуждался GaAs-диодами) с рабочей температурой 4,2 K
П. Кафалас, Б. Соффер и П. Сверокин реализовали пассивную модуляцию добротности с помощью насыщенного поглотителя

1965 Дж. Каспер и Дж. Пиментал изобрели химический лазер на HCl, импульсный с оптическим инициированием (λ = 3,5 мкм)

Б. Фритц и Е. Менке создали первый лазер на центрах окраски в KCl: Li / Fa-кристалле (λ = 2,7 мкм)
Дж. Жордмейн и Р. Миллер создали первый параметрический осциллятор на LiNbO3 -кристалле

1966 В. К. Конюхов, А. М. Прохоров; Р. Кантровитц и другие реализовали первый газодинамический CO2 -лазер

П. П. Сорокин и Дж. Р. Ланкард построили первый импульсный лазер на красителях с накачкой лазером на рубине (λ = 756 нм)
В. Сильфаст, Г. Фовлс реализуют первый лазер на парах металлов Zn / Cd-лазер
В. Т. Уолтер построил первый лазер на парах меди (λ = 510,6 нм и λ = 578,2 нм)

1967 Ф. К. Кнойбюль и другие реализовали волноводный газовый лазер на HCN-молекулах (λ = 337 мкм)

Т. Ф. Дойтч, К. Л. Компа и Г. С. Пиментель построили первый фтороводородный (HF) лазер

1968 Ж. И. Алферов и другие создали полупроводниковый лазер на двойной гетероструктуре с генерацией в импульсном режиме

M. Росс реализовал первый Nd:YAG-лазер с накачкой лазерными диодами
В. Т. Уолтер построил первый лазер на парах золота (λ = 637,8 нм)

1969 В. Б. Тифанни и другие построили первый киловаттный CO2 -лазер

Т. А. Кул и Р. Р. Тефенс создали чисто химический лазер на HCl непрерывного действия

1970 O. Петерсон и другие получили непрерывное излучение на родамине 6G

Н. Г. Басов и другие построили первый эксимерный лазер на Xe*2
T. Чанг и T. Бриджес построили 496-мкм-CH3 F-лазер
Ж. И. Алферов и другие построили первые лазерные диоды на двойных гетероструктурах с непрерывной генерацией при комнатной температуре
И. Хаяши, М. Паниш на другие построили лазерные диоды с непрерывной генерацией при комнатной температуре
Л. Эсаки и Р. Тсу получили первые квантовые волновые структуры

1971 Х. Когельник и С. Шанк изобрели лазер на красителях с распределенной обратной связью
1973 M. Накамура и А. Яров создали первый DFB полупроводниковый лазер
1974 Г. Маровський использовал кольцевой резонатор для предотвращения «spatial hole burning»-эффекта

А. И. Гудзенко и С. И. Яковенко предложили реактор-лазер

1975 T. Генш, А. Шавлов, Д. Винеланд и Г. Демельт предложили охлаждения атомных пучков с помощью лазеров
1976 Дж. Гсиех построил непрерывные InGaAsP-лазерные диоды (λ = 1,25 мкм)
1977 Дж. Мадейс и другие создали первый лазер на свободных электронах
1978 Дж. Валлинг построил твердотельный лазер на александрите (BeAl 2 O 4 : Cr 3 +) с непрерывной перестройкой в диапазоне 710—820 нм

В. Мак Дермотт, Н. Пчелкин и другие создали чисто химический лазер на электронных переходах в йоде (λ = 1,315 мкм)

1979 Е. Аффолтер и Ф. Кнойбюль построили газовый лазер с распределенной обратной связью (DFB)

Х. Сода и другие создали первые поверхностно-излучающие лазерные диоды (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers)

1980 Л. Молленауер, Р. Стоулен, Дж. Гордон впервые наблюдали солитоны в оптических волокнах

Ц. Бор получил короткие импульсы с помощью лазера на красителях

1981 Ф. Кояма и другие построили GaInAsP / InP-лазерные диоды с распределенным отражателем Брэгга (Distributed Bragg Reflector)
1982 П. Моултон построил первый титан-сапфировый лазер (Ti 3 + : Al 2 O 3) с перестройкой длин волн излучения между 670 нм и 1079 нм
1983 Л. Молленауер, Р. Стоулен построил первый лазер на солитонах
1985 Д. Мэттьюс и другие открыли рентгеновский лазер с 15 нм излучением

Т. Кейн и Р. Бэйр создали монолитный кольцевой YAG-лазер с диодной накачкой

1987 Д. Пейн открыл эрбиевий усилитель с рабочей длиной волны 1,55 мкм (Erbium Doped Fiber Amplifier)
1988 С. Пейн и другие построили первый Cr: LiCaF-лазер с перестройкой длины волны в диапазоне 720 нм и 840 нм
1989 С. Пейн и другие построили первый Cr: LiCaF-лазер с перестройкой длины волны в диапазоне 780 нм и 920 нм
1991 М. Гаазе и другие получили кратковременную генерацию с голубовато-зелёного лазерного диода на базе селенида цинка
1992 Г. Гриин, Г. Ляйзинг и другие создали первый органический полимерный светодиод с голубым излучением
1994 K. Ан и другие открыли первый лазер на одном атоме (λ = 791 нм)
1995 М. Андерсон и другие; К. Дэвис и другие впервые наблюдают конденсат Бозе-Эйнштейна в атомарных газах
1996 С. Накамура создал первые эффективные голубые лазерные диоды на базе нитрида галлия

Р. Френд построил полимерный лазер с оптической накачкой

1999 В. Кеттерле и другие; К. Моцума и другие открыли первый атомный лазер — когерентное усиление материальных волн при прохождении атомного резервуара

Литература

[править | править код]